半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111494129.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114203718A | 公開（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114203718A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-18 |
| 分類號(hào) | H01L27/11568（2017.01）I;H01L27/1157（2017.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 胡君;錢文生;張可鋼;王寧 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 唐嘉 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)祖沖之路1399號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括：器件區(qū)；在所述襯底內(nèi)形成第一阱；在形成所述第一阱之后，在所述器件區(qū)上形成選擇柵極以及位于所述選擇柵極兩側(cè)的存儲(chǔ)柵極；在形成所述選擇柵極和存儲(chǔ)柵極之后，在所述選擇柵極和存儲(chǔ)柵極兩側(cè)的所述襯底內(nèi)形成第二阱，且部分所述第二阱還位于所述存儲(chǔ)柵極底部?？梢詼p少一次光刻，且避免對(duì)選擇柵極溝道直接注入，從而提高器件性能。 |
