射頻功率放大器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111553690.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114123999A 公開（公告）日 2022-03-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114123999A 申請(qǐng)公布日 2022-03-01
分類號(hào) H03F3/21（2006.01）I;H03F3/19（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 張畢禪;王顯泰;龍海波;王虹;錢永學(xué);孟浩;蔡光杰;黃鑫 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市柳沈律師事務(wù)所 代理人 梁棟國(guó)
地址 100085北京市海淀區(qū)上地七街1號(hào)1號(hào)樓5F層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種射頻功率放大器以及改善射頻功率放大器的穩(wěn)定性的方法。所述射頻功率放大器包括：功率放大晶體管，被配置為使得其基極通過隔直電容器連接到射頻輸入端，其集電極連接到射頻輸出端，并且其集電極通過鍵合線連接到接地節(jié)點(diǎn)；隔直電容器，其被連接到射頻輸入端和功率放大晶體管的基極之間；偏置電路，其連接在供電電源和功率放大晶體管的基極；以及鍵合線，其被配置為連接在功率放大晶體管的集電極和接地節(jié)點(diǎn)，以調(diào)節(jié)功率放大晶體管發(fā)射極對(duì)地的等效電感，其中，所述功率放大晶體管、所述隔直電容器以及所述偏置電路被設(shè)置在半導(dǎo)體晶圓上。