覆晶式LED芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201420082716.6 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN203721756U 公開(公告)日 2014-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN203721756U 申請(qǐng)公布日 2014-07-16
分類號(hào) H01L33/44(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龐曉東;王瑞慶;劉鎮(zhèn);陳浩明 申請(qǐng)(專利權(quán))人 深圳市兆明芯科技控股有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市博銳專利事務(wù)所 代理人 張明
地址 518000 廣東省深圳市西麗街道陽(yáng)光社區(qū)沙坑路偉豪工業(yè)園2棟廠房501-2(僅限辦公)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種覆晶式LED芯片,與現(xiàn)有技術(shù)不同的是,其反射層的正面設(shè)有第一導(dǎo)電層,第一導(dǎo)電層用于分別電性連接第一電極和第二電極以形成第一電極區(qū)和第二電極區(qū);第一導(dǎo)電層的正面設(shè)有隔離層,隔離層覆蓋該覆晶式LED芯片的頂面和第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面;隔離層的正面設(shè)有第二導(dǎo)電層,第二導(dǎo)電層用于分別通過設(shè)于第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔中的導(dǎo)電金屬電極分別電性連接第一電極區(qū)和第二電極區(qū)。本實(shí)用新型的有益效果是:通過在覆晶式LED芯片的正面設(shè)置兩層導(dǎo)電層和一層隔離層,可以有效防止LED芯片漏電,顯著提高產(chǎn)品良率。