覆晶式LED芯片的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410065683.9 申請日 -
公開（公告）號 CN103794689A 公開（公告）日 2014-05-14
申請公布號 CN103794689A 申請公布日 2014-05-14
分類號 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龐曉東;王瑞慶;劉鎮(zhèn);陳浩明 申請（專利權）人 深圳市兆明芯科技控股有限公司
代理機構 深圳市博銳專利事務所 代理人 張明
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道陽光社區(qū)沙坑路偉豪工業(yè)園2棟廠房501-2（僅限辦公）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種覆晶式LED芯片的制作方法，包含步驟：在襯底上層疊第一導電型半導體層、發(fā)光層和第二導電型半導體層；形成第一電極孔；在第二導電型半導體層的正面覆蓋導電層，并蝕刻第一電極孔的延伸部；在導電層的正面覆蓋反射層，并蝕刻第一電極孔的延伸部；蝕刻反射層，形成多個第二電極孔，第二電極孔圍繞第一電極孔的周圍均勻分布；成型第一電極和第二電極；在發(fā)射層的正面成型第一導電層；在第一導電層的正面成型隔離層；在隔離層上蝕刻第一導電孔和第二導電孔，并在孔中成型導電金屬電極；在隔離層的正面成型第二導電層。其有益效果是：保證LED芯片發(fā)光的均勻，同時有效防止LED芯片漏電，顯著提高產品良率。