碲鎘汞材料離子注入P－N結(jié)產(chǎn)生損傷的修復(fù)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN03116408.0 申請日 -
公開（公告）號 CN1442886A 公開（公告）日 2003-09-17
申請公布號 CN1442886A 申請公布日 2003-09-17
分類號 H01L21/265 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陸衛(wèi);陳貴賓;蔡煒穎;陳效雙;李志鋒;李寧;季亞林;胡曉寧;何力 申請（專利權(quán)）人 上海尼賽拉電子元件有限公司
代理機構(gòu) 上海智信專利代理有限公司 代理人 郭英
地址 200083上海市玉田路500號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碲鎘汞材料在離子注入形成P－N結(jié)過程中對材料產(chǎn)生損傷的修復(fù)方法。該方法只需在常規(guī)的碲鎘汞材料離子注入形成P－N結(jié)的工藝后再用較小劑量、較低束流密度的離子再次注入該區(qū)。再注入的離子可以起到非平衡動態(tài)后處理的作用，使注入離子形成的P－N結(jié)性能有較明顯改善，從而提高了光伏型紅外探測器的性能。