一種基于稀土氧化物的光電子器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111312318.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114023912A 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN114023912A 申請公布日 2022-02-08
分類號 H01L51/52（2006.01）I;H01L51/54（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呂正紅;滿佳秀;胡俊濤;王登科;吳迪 申請（專利權(quán)）人 江蘇聯(lián)視控股集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京化育知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 尹均利
地址 214101江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)鳳威路2號B312-73
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于稀土氧化物的光電子器件，包括自下而上依次設(shè)置的自下而上依次設(shè)置的基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電致發(fā)光單元、電子傳輸層、電子注入層和陰極；所述陽極的側(cè)面設(shè)置有第一連接端；所述陰極的頂面設(shè)置有第二連接端；所述第一連接端和所述第二連接端分別與電源的正極和負(fù)極連接。本發(fā)明將通過設(shè)置固定厚度的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電致發(fā)光單元、電子傳輸層、電子注入層和陰極，避免了現(xiàn)有技術(shù)中將稀土金屬粉體與稀土氧化物摻雜作為電子注入層的材料時(shí)存在的摻雜比例難以確定的問題，提高了光電子器件的穩(wěn)定性。