一種中高壓的構槽式功率金氧半場效晶體管的結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920243165.X 申請日 -
公開（公告）號 CN210040207U 公開（公告）日 2020-02-07
申請公布號 CN210040207U 申請公布日 2020-02-07
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李振道;孫明光 申請（專利權）人 應能微電子（上海）有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 213022 江蘇省常州市新北區(qū)華山中路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種中高壓的構槽式功率金氧半場效晶體管的結構，包括：一襯底+外延，一氧化層，一閘極氧化層，一多晶硅（Poly?Si）層，一場氧化層，一第一摻雜區(qū)，一第二摻雜區(qū)，一第一次注入第一P+摻雜區(qū)，一第一次注入第二P+摻雜區(qū)，一介電質層(ILD)，一第二次注入第一P+摻雜區(qū)，一第二次注入第二P+摻雜區(qū)，一第一金屬層，一第二金屬層，本實用新型使用深離子植入技巧，改變電壓崩潰時電流路徑由原本的P?摻雜區(qū)轉向P+摻雜區(qū)方向流動，由于P+摻雜區(qū)阻值較小，使電流與路徑阻值的乘積不易大于內建寄生雙級晶體管的Vbe電壓讓三極管導通，因而容易維持原本雪崩崩潰(UIS)能力及降低snapback發(fā)生機率，本實用新型能完成中高電壓的產品，大大提升產品的應用范圍。