一種具有超深溝槽的瞬態(tài)電壓抑制器結(jié)構(gòu)的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510033881.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104616988B 公開（公告）日 2018-12-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN104616988B 申請(qǐng)公布日 2018-12-11
分類號(hào) H01L21/329;H01L21/04 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 應(yīng)能微電子（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州廣正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉述生
地址 213022 江蘇省常州市常州新北區(qū)華山路8號(hào)-5號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有超深溝槽的瞬態(tài)電壓抑制器結(jié)構(gòu)的制造方法，其制造步驟為：步驟一，在具有第一導(dǎo)電類型的重?fù)诫s硅襯底頂面生長一層厚度為20?60微米的具有第一導(dǎo)電類型的摻雜外延層；步驟二，在所述摻雜外延層頂面沉積一層二氧化硅硬掩膜，以作為刻蝕超深溝槽的硬掩膜；步驟三，對(duì)所述二氧化硅硬掩膜進(jìn)行光刻和等離子刻蝕，以形成多個(gè)超深溝槽；步驟四，將自摻雜生長的具有第二導(dǎo)電類型的多晶硅填充在所述超深溝槽中；步驟五，通過高溫推進(jìn)，將在所述具有第二導(dǎo)電類型的摻雜多晶硅與具有第一導(dǎo)電類型的重?fù)诫s襯底間形成擴(kuò)散PN結(jié)；步驟六，生長介質(zhì)層；步驟七，生長金屬層及刻蝕；步驟八，生長鈍化層及刻蝕。上述結(jié)構(gòu)可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦級(jí)）或浪涌電流。