一種具有超深溝槽的瞬態(tài)電壓抑制器結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510034207.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104617158A 公開（公告）日 2015-05-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN104617158A 申請(qǐng)公布日 2015-05-13
分類號(hào) H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 應(yīng)能微電子（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州廣正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉述生
地址 213022 江蘇省常州市常州新北區(qū)華山路8號(hào)-5號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有超深溝槽的瞬態(tài)電壓抑制器結(jié)構(gòu)，其包含一具有第一導(dǎo)電類型的重?fù)诫s硅襯底；在所述重?fù)诫s硅襯底頂面設(shè)置一具有第一導(dǎo)電類型的摻雜外延層；在所述摻雜外延層上設(shè)置有一系列密排的超深溝槽，且所述超深溝槽的高寬比為10:1到60:1。所述超深溝槽通過摻雜多晶硅的填充，并經(jīng)過高溫推進(jìn)形成一個(gè)立體的具有第二導(dǎo)電類型的擴(kuò)散摻雜區(qū)域，與具有第一導(dǎo)電類型的晶圓摻雜硅襯底形成一個(gè)縱向結(jié)構(gòu)的PN結(jié)。該縱向結(jié)構(gòu)的PN結(jié)的結(jié)面積由側(cè)面積和底面積所組成。而縱向結(jié)構(gòu)的PN結(jié)的結(jié)面積可以通過溝槽刻蝕的深度來增加，因此這種具有縱向PN結(jié)的TVS二極管結(jié)構(gòu)可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦級(jí)）或浪涌電流。