一種具有超深溝槽的瞬態(tài)電壓抑制器結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510034207.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104617158B 公開（公告）日 2018-06-05
申請公布號 CN104617158B 申請公布日 2018-06-05
分類號 H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然 申請（專利權）人 應能微電子（上海）有限公司
代理機構 蘇州廣正知識產權代理有限公司 代理人 劉述生
地址 213022 江蘇省常州市常州新北區(qū)華山路8號-5號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有超深溝槽的瞬態(tài)電壓抑制器結構，其包含一具有第一導電類型的重摻雜硅襯底；在所述重摻雜硅襯底頂面設置一具有第一導電類型的摻雜外延層；在所述摻雜外延層上設置有一系列密排的超深溝槽，且所述超深溝槽的高寬比為10:1到60:1。所述超深溝槽通過摻雜多晶硅的填充，并經過高溫推進形成一個立體的具有第二導電類型的擴散摻雜區(qū)域，與具有第一導電類型的晶圓摻雜硅襯底形成一個縱向結構的PN結。該縱向結構的PN結的結面積由側面積和底面積所組成。而縱向結構的PN結的結面積可以通過溝槽刻蝕的深度來增加，因此這種具有縱向PN結的TVS二極管結構可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦級）或浪涌電流。