一種具有超深溝槽的瞬態(tài)電壓抑制器結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520047127.9 申請日 -
公開（公告）號 CN204651327U 公開（公告）日 2015-09-16
申請公布號 CN204651327U 申請公布日 2015-09-16
分類號 H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱偉東;趙泊然 申請（專利權(quán)）人 應(yīng)能微電子（上海）有限公司
代理機構(gòu) 蘇州廣正知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉述生
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)盛夏路560號902A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種具有超深溝槽的瞬態(tài)電壓抑制器結(jié)構(gòu)，其包含一具有第一導(dǎo)電類型的摻雜硅襯底，在所述摻雜硅襯底表面設(shè)置有一系列密排的超深溝槽，所述超深溝槽通過摻雜多晶硅的填充，并經(jīng)過高溫推進形成一個立體的具有第二導(dǎo)電類型的擴散摻雜區(qū)域，與具有第一導(dǎo)電類型的晶圓摻雜硅襯底形成一個縱向結(jié)構(gòu)的PN結(jié)。該縱向結(jié)構(gòu)的PN結(jié)的結(jié)面積由側(cè)面積和底面積所組成。而縱向結(jié)構(gòu)的PN結(jié)的結(jié)面積可以通過溝槽刻蝕的深度來增加，因此這種具有縱向PN結(jié)的TVS二極管結(jié)構(gòu)可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦級）或浪涌電流。