一種中高壓的溝槽式功率金氧半場效晶體管的結(jié)構(gòu)與制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910143557.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109860308B 公開（公告）日 2022-02-15
申請公布號 CN109860308B 申請公布日 2022-02-15
分類號 H01L29/786（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李振道;孫明光 申請（專利權(quán)）人 應能微電子（上海）有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 213022 江蘇省常州市常州新北區(qū)華山路8號-5號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種中高壓的溝槽式功率金氧半場效晶體管的結(jié)構(gòu)及其制造方法，包括：一襯底+外延，一氧化層，一閘極氧化層，一多晶硅（Poly?Si）層，一場氧化層，一第一摻雜區(qū)，一第二摻雜區(qū)，一第一次注入第一P+摻雜區(qū)，一第一次注入第二P+摻雜區(qū)，一介電質(zhì)層（ILD），一第二次注入第一P+摻雜區(qū)，一第二次注入第二P+摻雜區(qū)，一第一金屬層，一第二金屬層，本發(fā)明使用深離子植入技巧，改變電壓崩潰時電流路徑由原本的P?摻雜區(qū)轉(zhuǎn)向P+摻雜區(qū)方向流動，由于P+摻雜區(qū)阻值較小，使電流與路徑阻值的乘積不易大于內(nèi)建寄生雙級晶體管的Vbe電壓讓三極管導通，因而容易維持原本雪崩崩潰（UIS）能力及降低snapback發(fā)生機率，本發(fā)明能完成中高電壓的產(chǎn)品，大大提升產(chǎn)品的應用范圍。