一種大規(guī)模陣列電路的IRDrop模擬方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111478281.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114186528A 公開（公告）日 2022-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114186528A 申請(qǐng)公布日 2022-03-15
分類號(hào) G06F30/398（2020.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 童振霄;劉偉平;李相啟;魏洪川;陸濤濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都華大九天科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王金雙
地址 610200四川省成都市雙流區(qū)銀河路596號(hào)科研綜合樓13層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種大規(guī)模陣列電路精確IRDrop模擬方法，包括以下步驟：1）根據(jù)輸入的區(qū)域電阻工藝文件，劃分陣列電路歸屬于不同指定的子區(qū)域；2）初始化所述子區(qū)域數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)所述子區(qū)域覆蓋的所有單元電路的位置信息；3）分別提取每個(gè)子區(qū)域的寄生電阻；4）生成所述子區(qū)域內(nèi)部所有電路的網(wǎng)表信息；5）建立陣列電路中所有節(jié)點(diǎn)的電壓電流方程并求解計(jì)算出節(jié)點(diǎn)電壓電流信息，進(jìn)行陣列電路的IRDrop效應(yīng)分析。本發(fā)明的大規(guī)模陣列電路精確IRDrop模擬方法，能夠?yàn)殡娐吩O(shè)計(jì)人員提供精確的IRDrop模擬結(jié)果，準(zhǔn)確分析IRDrop效應(yīng)帶來的影響。