一種鋁箔表面溶膠凝膠法原位沉積錫晶核的方法及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711360884.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108085721A 公開（公告）日 2018-05-29
申請公布號 CN108085721A 申請公布日 2018-05-29
分類號 C25D3/30;C25D5/44;C25D7/06;C25F3/20 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 彭寧;楊宏;何業(yè)東;陳家進(jìn) 申請（專利權(quán)）人 廣西廣投正潤新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市越秀區(qū)海心聯(lián)合專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廣西正潤新材料科技有限公司
地址 542899 廣西壯族自治區(qū)賀州市電子科技園天賀大道3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種中高壓陽極用高純鋁箔表面溶膠凝膠法原位沉積錫晶核的方法，(1)將鋁箔成品經(jīng)過再結(jié)晶退火處理，形成{100}面織構(gòu)占有率大于95％的，表面含微量Fe、Si、Cu、Zn、Ga、Mn且不富集Pb元素，Al純度為99.99％；(2)鋁箔在堿性溶液中預(yù)處理，除去鋁箔表面的氧化膜；(3)往預(yù)處理后的純鋁箔表面拋涂溶膠溶液，形成均勻的錫氫氧化物溶膠層；(4)以石墨電極作為陽極，所述鋁箔作為陰極進(jìn)行原位電化學(xué)溶解沉積，在鋁箔表面原位沉積納米錫晶核。本發(fā)明還公開了適用于上述方法的系統(tǒng)。本發(fā)明納米錫晶核尺寸小，分布因不受鋁箔表面軋痕、缺陷影響而更加均勻。