一種硅晶圓刻蝕裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | 2020216128970 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN212434588U | 公開(公告)日 | 2021-01-29 |
申請公布號(hào) | CN212434588U | 申請公布日 | 2021-01-29 |
分類號(hào) | H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 朱博超;章志成;鄒嚴(yán)宇 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江森田新材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州新澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 曾建芳 |
地址 | 321200浙江省金華市武義縣青年路胡處工業(yè)區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種硅晶圓刻蝕裝置。采用的技術(shù)方案是:包括刻蝕裝置外殼、控制面板、硅晶圓承載機(jī)構(gòu)、滴膠機(jī)構(gòu)、均布機(jī)構(gòu)、氮?dú)馄讲紮C(jī)構(gòu)、檢測箱和恒溫恒濕機(jī)構(gòu),所述硅晶圓承載機(jī)構(gòu)上部設(shè)置有所述滴膠機(jī)構(gòu),所述滴膠機(jī)構(gòu)一側(cè)設(shè)置有所述均布機(jī)構(gòu),所述均布機(jī)構(gòu)后側(cè)設(shè)置有所述氮?dú)馄讲紮C(jī)構(gòu)。本實(shí)用新型的有益效果:通過刻蝕裝置外殼實(shí)現(xiàn)硅晶圓刻蝕裝置加工環(huán)境封閉,通過硅晶圓承載機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)四片晶圓同時(shí)刻蝕加工,便于晶圓取放,通過滴膠機(jī)構(gòu)保障加工過程中光刻膠滴膠均勻,同時(shí)保持光刻膠質(zhì)量和品質(zhì),通過均布機(jī)構(gòu)和氮?dú)馄讲紮C(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻膠均勻涂布,保障涂布平整,通過恒溫恒濕機(jī)構(gòu)完成裝置內(nèi)部空氣循環(huán),保障工作環(huán)境穩(wěn)定,保障硅晶圓刻蝕質(zhì)量。?? |
