一種高純高致密碳化硅陶瓷及其制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011051209.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112159232A | 公開(公告)日 | 2021-01-01 |
申請公布號 | CN112159232A | 申請公布日 | 2021-01-01 |
分類號 | C04B35/573;C04B35/622 | 分類 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
發(fā)明人 | 閆永杰 | 申請(專利權(quán))人 | 南通三責(zé)精密陶瓷有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京志霖恒遠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 南通三責(zé)精密陶瓷有限公司 |
地址 | 226000 江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)武夷路18號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種高純高致密碳化硅陶瓷及其制造方法,采用不同粒度的碳化硅陶瓷粉體為主要原料,利用石墨粉和納米炭黑為結(jié)合劑,樹脂為粘結(jié)劑,采用噴霧造粒工藝均勻混合,通過干壓成型、等靜壓成型或者澆注成型等多種成型方法得到陶瓷素胚,坯體經(jīng)過干燥、固化后,采用第一次高溫純化熱處理,第二次反應(yīng)滲硅熱處理,最后經(jīng)過表面處理,獲得高純高致密碳化硅陶瓷。采用該工藝制造的碳化硅陶瓷純度高,各種金屬雜質(zhì)含量低于200ppm,材料的致密度達99%以上,能夠廣泛應(yīng)用于純度和強度要求高的光伏、LED或者半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。 |
