具有緩存的In-Line ECC模塊

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910604755.5 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN110310693A 公開(公告)日 2019-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN110310693A 申請(qǐng)公布日 2019-10-08
分類號(hào) G11C29/42 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 王時(shí);林崗 申請(qǐng)(專利權(quán))人 貴陽憶芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京卓特專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 貴陽憶芯科技有限公司;上海憶芯實(shí)業(yè)有限公司
地址 550081 貴州省貴陽市觀山湖區(qū)林城西路摩根中心A座第210層1-20號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種為存儲(chǔ)設(shè)備提供ECC的方法,包括:響應(yīng)于接收到寫命令,若寫命令要寫入的數(shù)據(jù)屬于第一數(shù)據(jù)單元的地址范圍,則將寫命令要寫入的數(shù)據(jù)寫入單拍緩存;為單拍緩存存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)單元計(jì)算校驗(yàn)數(shù)據(jù),并得到同第一數(shù)據(jù)單元對(duì)應(yīng)的第一ECC單元;根據(jù)第一數(shù)據(jù)單元的地址計(jì)算第一ECC單元的地址;生成指示第一ECC單元的地址的寫命令,以將第一ECC單元寫入DRAM。以使用相對(duì)便宜的普通的存儲(chǔ)器,并同時(shí)提供ECC功能;以及降低訪問校驗(yàn)數(shù)據(jù)為存儲(chǔ)器訪問帶來帶寬與延遲方面的額外開銷,以保證存儲(chǔ)器的性能。