一種透射電鏡原位電熱耦合芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010171038.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111354615B 公開（公告）日 2021-05-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN111354615B 申請(qǐng)公布日 2021-05-18
分類號(hào) H01J37/26;G01N23/04;G01N23/20;G01N25/00;G01N27/26 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖洪鋼;江友紅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門超新芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 秦華
地址 361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)軟件園創(chuàng)新大廈A區(qū)801
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種透射電鏡原位電熱耦合芯片及其制備方法。結(jié)構(gòu)為上片和下片通過金屬鍵合層組合，自封閉形成一個(gè)超薄的腔室；上片和下片的材質(zhì)均為兩面有氮化硅或氧化硅的硅基片，上片有兩個(gè)注樣口和一個(gè)中心視窗；下片有電極材料層，過渡層，氮化硅或氧化硅層，加熱層，絕緣層，氮化硅或氧化硅層，硅基片，氮化硅或氧化硅層和中心視窗，位于下片的中心位置，加熱層設(shè)置有四個(gè)接觸電極及環(huán)形加熱絲，所述四個(gè)接觸電極設(shè)置在芯片邊緣，所述加熱絲為多條圓弧線的末端聯(lián)通形成，圓弧線連接時(shí)留有一條狹縫，所述電極材料層中的工作電極置于狹縫處，前端延伸中心視窗處。所述芯片具有分辨率高、樣品漂移率低的優(yōu)點(diǎn)。