一種功率半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920274948.4 申請日 -
公開（公告）號 CN209461471U 公開（公告）日 2019-10-01
申請公布號 CN209461471U 申請公布日 2019-10-01
分類號 H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李述洲;晉虎;孫永生;高良 申請（專利權(quán)）人 重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司;嘉興奧羅拉電子科技有限公司
地址 405200 重慶市梁平縣梁平工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種功率半導(dǎo)體器件，包括：襯底以及依次堆疊在所述襯底上的第一摻雜層、肖特基勢壘層、金屬層；所述第一摻雜層包括多個(gè)柵極，每個(gè)所述柵極的兩側(cè)均包括第二摻雜層，具有第二摻雜層的功率半導(dǎo)體器件的峰值電場強(qiáng)度較低，使得臺面的峰值電場值得以降低，因此能夠抑制所述功率半導(dǎo)體器件的反向漏電流；另一方面，所述功率半導(dǎo)體器件在承受大電流沖擊的過程中，第二摻雜層與第一摻雜層形成的PN結(jié)將導(dǎo)通，與肖特基勢壘層相比，第二摻雜層能夠承受更大的正向電流密度，因此能夠承受更大的電流浪涌沖擊，提高所述功率半導(dǎo)體器件的性能、使用可靠性以及使用壽命。