一種半導體器件電連接結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710377940.6 申請日 -
公開（公告）號 CN107275310B 公開（公告）日 2020-01-03
申請公布號 CN107275310B 申請公布日 2020-01-03
分類號 H01L23/528;H01L21/768 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周志健;朱二輝;陳磊;楊力建;于洋;鄺國華 申請（專利權）人 廣東合微集成電路技術有限公司
代理機構 廣東莞信律師事務所 代理人 廣東合微集成電路技術有限公司
地址 523808 廣東省東莞市松山湖新竹路總部一號6棟5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導體器件電連接結構及其制造方法。所述的半導體器件電連接結構由頂層半導體材料、絕緣層和襯底半導體材料構成；絕緣層位于頂層半導體材料和襯底半導體材料之間；頂層半導體材料和襯底半導體材料為反相摻雜；在頂層半導體材料上設有摻雜區(qū)；通過摻雜區(qū)設有與襯底半導體材料連通的電連接孔；電連接孔內(nèi)設有電連接層；襯底半導體材料上設有電隔離溝槽；被電隔離溝槽包圍的襯底半導體材料與電連接層相連；襯底半導體材料上設電絕緣層；電絕緣層上設有電接觸孔；電接觸孔內(nèi)形成有金屬引腳。本發(fā)明解決了芯片后續(xù)三維(3D)封裝的成本及工藝復雜度高、電連接結構制作工藝先后順序靈活性差或成本高的問題；可用基于絕緣襯底上的硅(SOI)晶圓制作該電連接結構。