一種適合表面貼裝工藝的壓阻式壓力傳感器及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710381881.X 申請日 -
公開（公告）號 CN107176585B 公開（公告）日 2019-06-21
申請公布號 CN107176585B 申請公布日 2019-06-21
分類號 B81B7/02（2006.01）I; B81C1/00（2006.01）I; G01L1/18（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 周志健; 朱二輝; 陳磊; 楊力建; 于洋; 鄺國華 申請（專利權(quán)）人 廣東合微集成電路技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 廣東莞信律師事務(wù)所 代理人 廣東合微集成電路技術(shù)有限公司
地址 523808 廣東省東莞市松山湖新竹路總部一號6棟5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種適合表面貼裝工藝的壓阻式壓力傳感器及其制造方法。使用的晶圓結(jié)構(gòu)包括襯底半導體材料和頂層半導體材料及絕緣層，在襯底半導體材料內(nèi)與絕緣層界面位置設(shè)有空腔；頂層半導體材料和襯底半導體材料為反相摻雜；襯底半導體材料上設(shè)有電隔離溝槽；被電隔離溝槽包圍的襯底半導體材料形成有電接觸孔，電接觸孔內(nèi)重摻雜、沉積金屬，形成電通道及金屬引腳；在頂層半導體材料上形成有壓力傳感器的壓阻條、電學引線區(qū)及電學連接孔；電學引線區(qū)與部分壓阻條及電隔離溝槽包圍的襯底半導體材料重合；電連接孔在電學引線區(qū)和襯底半導體材料的重合區(qū)域內(nèi)；在電學連接孔內(nèi)沉積導電層形成電連接通道。本發(fā)明的壓阻式壓力傳感器便于后續(xù)與相應(yīng)控制電路(IC)實現(xiàn)三維(3D)封裝，成本低。