MEMS諧振器的溫度補(bǔ)償方法及裝置、MEMS振蕩器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910165172.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109921760A 公開（公告）日 2019-06-21
申請公布號 CN109921760A 申請公布日 2019-06-21
分類號 H03H9/24（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 許國輝; 鄺國華 申請（專利權(quán)）人 廣東合微集成電路技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 廣東合微集成電路技術(shù)有限公司
地址 523000 廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新竹路4號新竹苑6幢辦公501
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MEMS諧振器的溫度補(bǔ)償方法及裝置、MEMS振蕩器。該溫度補(bǔ)償方法包括：獲取溫度常數(shù)和溫度項系數(shù)，所述溫度常數(shù)和所述溫度項系數(shù)均與所述MEMS諧振器的模型參數(shù)關(guān)聯(lián)；獲取所述MEMS諧振器的溫度；根據(jù)所述溫度常數(shù)、所述溫度項系數(shù)和所述MEMS諧振器的溫度，確定所述MEMS諧振器的溫度補(bǔ)償電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例無需設(shè)置PLL，因此，本發(fā)明實施例可以使MEMS振蕩器的運(yùn)作頻率大大降低。若MCU運(yùn)作在MHz的頻率量級，可以將MEMS振蕩器的功耗控制在十毫安以下，使得MEMS振蕩器在同樣的參數(shù)表現(xiàn)下，達(dá)到更低的功耗與熱性能要求，解決了現(xiàn)有的MEMS諧振器的溫度補(bǔ)償方法存在的功耗較大的問題。