超大規(guī)模集成電路銅布線表面低壓化學(xué)機(jī)械拋光方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010231553.X 申請日 -
公開（公告）號 CN101966688B 公開（公告）日 2011-12-14
申請公布號 CN101966688B 申請公布日 2011-12-14
分類號 B24B37/04(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 劉玉嶺;劉效巖;田軍 申請（專利權(quán)）人 天津河北工業(yè)大學(xué)資產(chǎn)經(jīng)營有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市三利專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 河北工業(yè)大學(xué);天津河北工業(yè)大學(xué)資產(chǎn)經(jīng)營有限責(zé)任公司
地址 300130 天津市紅橋區(qū)光榮道8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種超大規(guī)模集成電路銅布線表面低壓化學(xué)機(jī)械拋光方法，實施步驟如下：（1）將以下成分按重量%均勻混合制成拋光液：納米SiO2磨料：35～80%，去離子水：12～60%，氧化劑：1～3%，活性劑：1～4% ，F(xiàn)A/OII型螯合劑：0.5～1.5%；（2）拋光工藝參數(shù)設(shè)定：拋光壓力：2～5KPa ，拋光溫度：20～50℃，流量：120～250 ml/min ，轉(zhuǎn)速：30～60 rpm/min。拋光液中的氧化劑把銅氧化，F(xiàn)A/OII型螯合劑本身具有極強(qiáng)的螯合能力，與氧化的銅快速反應(yīng)，生成可溶性的螯合物快速的脫離銅表面，避免主要依賴機(jī)械的摩擦作用去除表面銅，實現(xiàn)了在低機(jī)械強(qiáng)度下的銅拋光。螯合過程材料的去除以打破分子鍵來實現(xiàn)，對材料表面損傷小。且在低壓下增強(qiáng)CMP化學(xué)作用來補(bǔ)償機(jī)械作用對拋光速率的影響。