極大規(guī)模集成電路多層布線堿性拋光后防氧化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010231676.3 申請日 -
公開（公告）號 CN101901782B 公開（公告）日 2011-12-14
申請公布號 CN101901782B 申請公布日 2011-12-14
分類號 H01L21/768(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉玉嶺;劉效巖;田軍 申請（專利權(quán)）人 天津河北工業(yè)大學(xué)資產(chǎn)經(jīng)營有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市三利專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 河北工業(yè)大學(xué);天津河北工業(yè)大學(xué)資產(chǎn)經(jīng)營有限責(zé)任公司
地址 300130 天津市紅橋區(qū)光榮道8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種極大規(guī)模集成電路多層布線堿性拋光后防氧化方法，實(shí)施步驟如下(重量％)：(1)制備防氧化液：將FA/OI表面活性劑0.5-1％、FA/OII型螯合劑0.05-0.5％、FA/OII型阻蝕劑1-10％、余量去離子水，攪拌均勻后制備成pH值為6.8-7.5水溶性表面防氧化液；(2)在極大規(guī)模集成電路多層布線進(jìn)行堿性CMP后用清洗液水拋后立即使用步驟(1)中制備的防氧化液進(jìn)行水拋防氧化，在1000Pa-2000Pa的低壓力、2000-5000ml/min的大流量條件下進(jìn)行水拋防氧化，拋光清洗時間至少0.5-1分鐘，以使多層布線表面形成鈍化層。在拋光后用清洗液水拋后立即使用防氧化劑對多層布線進(jìn)行大流量水拋進(jìn)行防氧化處理，能有效防止拋光后新鮮銅氧化，從而達(dá)到潔凈、完美的拋光表面。