異質(zhì)結(jié)太陽電池的硅片處理方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202111372228.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114242833A | 公開（公告）日 | 2022-03-25 |
| 申請公布號(hào) | CN114242833A | 申請公布日 | 2022-03-25 |
| 分類號(hào) | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0747（2012.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宿世超;趙曉霞;田宏波;王偉;王雪松;王彩霞;宗軍;孫金華;范霽紅 | 申請（專利權(quán)）人 | 國家電投集團(tuán)新能源科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 孫詩惠 |
| 地址 | 102209 北京市昌平區(qū)未來科技城國家電投集團(tuán)科學(xué)技術(shù)研究院有限公司院內(nèi)A座8層至11層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種異質(zhì)結(jié)太陽電池的硅片處理方法，所述硅片處理方法包括提供一硅片，對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理，去除所述硅片表面的原始損傷層、雜質(zhì)和氧化層；將所述硅片置于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)，將所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的基板溫度控制在200?600℃，對(duì)所述硅片進(jìn)行低溫氫處理。本發(fā)明實(shí)施例的異質(zhì)結(jié)太陽電池的硅片處理方法可有效提高硅片體壽命，有利于提高電池開路，提高異質(zhì)結(jié)電池效率；改善了由于硅片片源質(zhì)量波動(dòng)而導(dǎo)致的末端電池效率的波動(dòng)現(xiàn)象，使電池效率集中度得到提高。 |
