背接觸異質(zhì)結(jié)電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111175013.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113964229A 公開（公告）日 2022-01-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113964229A 申請(qǐng)公布日 2022-01-21
分類號(hào) H01L31/0747（2012.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L31/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王偉;趙曉霞;田宏波;王雪松;王彩霞;宗軍;范霽紅;孫金華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 國家電投集團(tuán)新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蔣松
地址 102209 北京市昌平區(qū)未來科技城國家電投集團(tuán)科學(xué)技術(shù)研究院有限公司院內(nèi)A座8層至11層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種背接觸異質(zhì)結(jié)電池及其制備方法。所述背接觸異質(zhì)結(jié)電池包括：n型單晶硅襯底；依次設(shè)置于所述n型單晶硅襯底上表面的第一鈍化層和減反射層；設(shè)置于所述n型單晶硅襯底下表面的第二鈍化層；設(shè)置于所述第二鈍化層下表面的局域n型硅基薄膜；設(shè)置于所述局域n型硅基薄膜下表面和所述第二鈍化層下表面的除所述局域n型薄膜以外區(qū)域的p型硅基薄膜；依次設(shè)置于所述p型硅基薄膜下表面的TCO薄膜和金屬電極。因此，根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的背接觸異質(zhì)結(jié)電池具有制備工藝簡(jiǎn)單和生產(chǎn)成本低的優(yōu)點(diǎn)。