硅異質(zhì)結(jié)太陽電池中TCO薄膜和Cu種子層的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110887924.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113943920A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113943920A 申請公布日 2022-01-18
分類號 C23C14/08（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王偉;趙曉霞;宮元波;田宏波;宗軍;王雪松;李洋 申請（專利權(quán)）人 國家電投集團(tuán)新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曲進(jìn)華
地址 102209 北京市昌平區(qū)未來科技城國家電投集團(tuán)科學(xué)技術(shù)研究院有限公司院內(nèi)A座8層至11層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅異質(zhì)結(jié)太陽電池中TCO薄膜和Cu種子層的制備方法，包括：a、在PVD設(shè)備內(nèi)對形成有非晶硅薄膜的硅異質(zhì)結(jié)電池正背表面進(jìn)行TCO1薄膜沉積；b、將所述沉積TCO1薄膜后的硅異質(zhì)結(jié)電池在所述PVD設(shè)備內(nèi)進(jìn)行銅種子層沉積；c、將所述沉積銅種子層后的硅異質(zhì)結(jié)電池在所述PVD設(shè)備內(nèi)進(jìn)行TCO2薄膜沉積。本發(fā)明的方法通過PVD技術(shù)形成TCO1/銅種子層/TCO2結(jié)構(gòu)，并且采用真空退火處理，沉積形成的TCO2薄膜保證了真空退火無論在PVD腔室內(nèi)或者設(shè)備外均可進(jìn)行，有效改善了TCO薄膜與銅的界面質(zhì)量，從而提高了電池性能。