一種高阻隔膜及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110317675.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112895660A | 公開（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申請公布號(hào) | CN112895660A | 申請公布日 | 2021-06-04 |
| 分類號(hào) | B32B27/36;B32B27/32;B32B27/30;B32B27/08;B32B37/00;B65D65/40;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/35 | 分類 | 層狀產(chǎn)品; |
| 發(fā)明人 | 宋尚金;胡業(yè)新;高毓康;劉世琴 | 申請（專利權(quán)）人 | 江蘇日久光電股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州科仁專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 郭楊 |
| 地址 | 215300 江蘇省蘇州市昆山周莊鎮(zhèn)錦周公路509號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種高阻隔膜，包括柔性基層，由柔性基層的一面依次設(shè)置的第一無機(jī)氧化物層、第二無機(jī)氧化物層、第三無機(jī)氧化物層、第四無機(jī)氧化物層、保護(hù)膜，第一、第二、第三、第四無機(jī)氧化物層均由磁控濺射工藝制備而成的，第一層無機(jī)氧化物層厚度為10?20nm，第二層無機(jī)氧化物層厚度為20?40nm，第三層無機(jī)氧化物層厚度為10?20nm，第四層無機(jī)氧化物層厚度為5?20nm。本發(fā)明通過對不同靶材在制備過程中相對位置的前后搭配，可實(shí)現(xiàn)各個(gè)無機(jī)氧化物層位置的靈活變化，且整個(gè)阻隔膜制備工藝，通過磁控濺射技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)柔性基體一次性通過制備流程完成整個(gè)阻隔膜制備，且磁控濺射制備方法對各個(gè)薄膜層厚度能夠?qū)崿F(xiàn)靈活改變，并不會(huì)產(chǎn)生額外制備流程，有效提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。 |
