防腐蝕的ITO導電膜及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110637777.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113241213A | 公開(公告)日 | 2021-08-10 |
申請公布號 | CN113241213A | 申請公布日 | 2021-08-10 |
分類號 | H01B5/14;H01B13/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 胡業(yè)新;于佩強;劉世琴;宋尚金 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇日久光電股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 蘇州科仁專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 郭楊 |
地址 | 215300 江蘇省蘇州市昆山市周莊鎮(zhèn)錦周公路509號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種防腐蝕的ITO導電膜及其制備方法,包括基材層,還包括通過涂布工藝涂設(shè)在所述基材層的一面上的樹脂阻擋層,通過磁控濺射工藝鍍設(shè)在所述樹脂阻擋層上的光匹配打底層,通過磁控濺射工藝鍍設(shè)在所述光匹配打底層上的ITO導電層和通過磁控濺射工藝鍍設(shè)在所述ITO導電層上的阻擋封蓋層,所述樹脂阻擋層的折射率為1.6?1.7,厚度為700?1000nm,所述光匹配打底層的折射率為1.4?1.5,厚度為5?15nm,所述阻擋封蓋層的折射率為1.4?2.4,厚度為1?15nm。光學性能優(yōu)異,起到較好的阻水阻氧等阻隔作用,阻擋玻璃蓋板中析出的鈉離子對ITO導電膜的腐蝕侵害,耐腐蝕性能更佳,并在使用及生產(chǎn)過程中,ITO導電膜受析出粒子影響較小,清晰壽命長,更適合于大屏顯示所有人機交互領(lǐng)域。 |
