一種用于勻化基模光強(qiáng)分布的有源光纖及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210084541.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114114527B | 公開（公告）日 | 2022-05-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114114527B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-20 |
| 分類號(hào) | G02B6/036（2006.01）I;G02B6/02（2006.01）I;C03B37/018（2006.01）I | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 王一礴;徐中巍;胡雄偉;廖雷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 武漢長(zhǎng)進(jìn)光子技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)流芳大道52號(hào)鳳凰產(chǎn)業(yè)園（武漢-中國(guó)光谷文化創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園）B地塊5幢1層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于勻化基模光強(qiáng)分布的有源光纖及其制備方法，該有源光纖包括由內(nèi)至外依次排布的光纖纖芯、內(nèi)包層和外包層，光纖纖芯包括摻有稀土離子的內(nèi)纖芯和不摻有稀土離子的外纖芯。本發(fā)明通過(guò)內(nèi)纖芯摻入稀土離子且外纖芯不摻稀土離子的設(shè)置方式，實(shí)現(xiàn)了纖芯傳輸基模光強(qiáng)分布的均勻化，縮小纖芯徑向位置之間的功率密度差距，擴(kuò)大纖芯模場(chǎng)面積，并且利用不摻入稀土離子的外纖芯，使高階模與摻有稀土離子的增益區(qū)域的重疊因子顯著降低，達(dá)到抑制高階模增益的效果；同時(shí)，也降低了光纖纖芯承受的最高功率密度，從而提高有源光纖的非線性閾值。 |
