一種用于勻化基模光強(qiáng)分布的有源光纖及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210084541.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN114114527A | 公開(公告)日 | 2022-03-01 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN114114527A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
分類號(hào) | G02B6/036(2006.01)I;G02B6/02(2006.01)I;C03B37/018(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
發(fā)明人 | 王一礴;徐中巍;胡雄偉;廖雷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 武漢長(zhǎng)進(jìn)光子技術(shù)股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 黃君軍 |
地址 | 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)流芳大道52號(hào)鳳凰產(chǎn)業(yè)園(武漢-中國(guó)光谷文化創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園)B地塊5幢1層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于勻化基模光強(qiáng)分布的有源光纖及其制備方法,該有源光纖包括由內(nèi)至外依次排布的光纖纖芯、內(nèi)包層和外包層,光纖纖芯包括摻有稀土離子的內(nèi)纖芯和不摻有稀土離子的外纖芯。本發(fā)明通過(guò)內(nèi)纖芯摻入稀土離子且外纖芯不摻稀土離子的設(shè)置方式,實(shí)現(xiàn)了纖芯傳輸基模光強(qiáng)分布的均勻化,縮小纖芯徑向位置之間的功率密度差距,擴(kuò)大纖芯模場(chǎng)面積,并且利用不摻入稀土離子的外纖芯,使高階模與摻有稀土離子的增益區(qū)域的重疊因子顯著降低,達(dá)到抑制高階模增益的效果;同時(shí),也降低了光纖纖芯承受的最高功率密度,從而提高有源光纖的非線性閾值。 |
