一種芯片封裝的封裝方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011617859.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112614787A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112614787A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-06 |
| 分類號(hào) | H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 譚小春 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 合肥矽邁微電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 230088安徽省合肥市高新區(qū)習(xí)友路3699號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供的一種芯片封裝的封裝方法，在晶圓上對(duì)芯片上的寄生電容進(jìn)行一次Bump，形成第一金屬凸點(diǎn)，在第一金屬凸點(diǎn)的上進(jìn)行二次Bump，形成第二金屬凸點(diǎn)，第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)之間具有環(huán)形的凹陷，將帶有第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)的芯片進(jìn)行后續(xù)的常規(guī)芯片封裝操作流程。通過(guò)一次Bump與二次Bump形成第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)，第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)之間具有環(huán)形的凹陷，在塑封時(shí)能夠與塑封體很好的結(jié)合，環(huán)形的凹陷能夠卡扣住塑封體，且增大了與塑封體之間的接觸面積，增加了粘結(jié)度，在研磨工藝時(shí)，不易使第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)與塑封體之間脫離，也降低了第一金屬凸點(diǎn)與寄生電容之間脫離的概率，提高芯片的可靠性。?? |
