一種原子層沉積設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123083824.4 申請日 -
公開（公告）號 CN216891209U 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN216891209U 申請公布日 2022-07-05
分類號 C23C16/455（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 戴虹;陸勇;朱家寬;胡海明;張開江;莊志金 申請（專利權(quán)）人 理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 201620上海市松江區(qū)思賢路3255號3幢402
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種原子層沉積設(shè)備，包括：旋轉(zhuǎn)基座，用于承載基片；第一氣流板和第二氣流板，所述第一氣流板與所述第二氣流板堆疊設(shè)置；所述第一氣流板上包括凹槽部和設(shè)置于凹槽部內(nèi)的供氣口，所述凹槽部包括自所述第一氣流板中心向邊緣呈扇形放射狀延伸的溝槽，使所述凹槽部的內(nèi)表面與所述第二氣流板的表面圍成送氣腔體；所述第二氣流板上設(shè)置有與所述凹槽部位置相對的送氣口，用于將反應(yīng)氣體通過所述送氣口輸送至所述旋轉(zhuǎn)基座；供氣管道，所述供氣管道連接所述供氣口，用于提供氣體。通過均勻分布于沉積區(qū)域上方的送氣腔體對沉積區(qū)域進行送氣，有利于提升基片上各個位置的送氣均勻性。