管式沉積系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910798935.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110408914B | 公開（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110408914B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-20 |
| 分類號(hào) | C23C16/54;H01L31/18 | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 戴虹;王祥;袁剛;胡兵;奚明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 黃海霞 |
| 地址 | 201602 上海市松江區(qū)思賢路3255號(hào)3幢402室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種管式沉積系統(tǒng)，包括載片單元、前置處理腔室、X個(gè)反應(yīng)模塊、預(yù)加熱單元、加熱單元和轉(zhuǎn)運(yùn)單元。所述前置處理腔室與X個(gè)所述反應(yīng)模塊之間，以及X個(gè)所述反應(yīng)模塊之間均沿垂直方向設(shè)置，每個(gè)所述反應(yīng)模塊內(nèi)沿水平方向設(shè)置有至少一個(gè)管式反應(yīng)腔體，顯著提高了空間利用率，有利于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能最大化。所述預(yù)加熱單元和所述轉(zhuǎn)運(yùn)單元使得所述載片單元能夠在所述前置處理腔室內(nèi)達(dá)到預(yù)熱溫度后，再通過所述轉(zhuǎn)運(yùn)單元轉(zhuǎn)移至所述管式反應(yīng)腔體內(nèi)，避免了所述管式反應(yīng)腔體中存在的沉積層對(duì)加熱效果產(chǎn)生的不利影響，有利于工藝處理的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。 |
