應(yīng)用于管式鍍膜設(shè)備的處理方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011592604.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112813420A | 公開(公告)日 | 2021-05-18 |
申請公布號 | CN112813420A | 申請公布日 | 2021-05-18 |
分類號 | C23C16/50;C23C16/54;C23C16/44;C23C16/52;C23C16/30;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 戴虹;黃志強;王祥;彭海;湯亮才;胡海明 | 申請(專利權(quán))人 | 理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 黃海霞 |
地址 | 201620 上海市松江區(qū)思賢路3255號3號樓B棟四樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于管式鍍膜設(shè)備的處理方法,包括:通過沉積控制裝置對管式沉積腔體內(nèi)基板的一個待鍍表面進行沉積處理以得到單面鍍膜基板,通過傳輸裝置將裝載有所述單面鍍膜基板的載具運出所述管式沉積腔體后卸載所述單面鍍膜基板,從而得到待清洗載具,以及通過設(shè)置于管式清洗腔體的清洗控制裝置對進入所述管式清洗腔體的載具進行氣相清洗處理。本發(fā)明通過設(shè)置于所述管式清洗腔體的清洗控制裝置對進入所述管式清洗腔體的載具進行所述氣相清洗處理,無需拆裝所述載具,從而進一步提高了生產(chǎn)效率。 |
