應(yīng)用于管式PECVD沉積設(shè)備的生產(chǎn)工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011592646.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112813413A 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN112813413A 申請公布日 2021-05-18
分類號 C23C16/44;C23C16/30;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/54;H01L31/18 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 戴虹;黃志強(qiáng);王祥;袁剛;湯亮才;彭海 申請（專利權(quán)）人 理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 201620 上海市松江區(qū)思賢路3255號3號樓B棟四樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于管式PECVD沉積設(shè)備的生產(chǎn)工藝，包括：通過翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)管式沉積腔體內(nèi)的載具進(jìn)行翻轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，通過沉積控制裝置使基板的兩個(gè)待鍍表面均形成介質(zhì)膜，以及通過設(shè)置于管式清洗腔體的清洗控制裝置對進(jìn)入所述管式清洗腔體的載具進(jìn)行氣相清洗處理。本發(fā)明通過所述翻轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使得所述載具無需多次進(jìn)出所述管式沉積腔體內(nèi)部就能夠?qū)崿F(xiàn)雙面鍍，提高了生產(chǎn)效率；通過設(shè)置于所述管式清洗腔體的清洗控制裝置對進(jìn)入所述管式清洗腔體的載具進(jìn)行所述氣相清洗處理，無需拆裝所述載具，從而進(jìn)一步提高了生產(chǎn)效率。