應用于鍍膜設備的處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011590653.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112813412A 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN112813412A 申請公布日 2021-05-18
分類號 C23C16/44;C23C16/50;C23C16/52 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 戴虹;黃志強;王祥;袁剛;湯亮才;劉鋒 申請（專利權）人 理想晶延半導體設備（上海）股份有限公司
代理機構 上海恒銳佳知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 201620 上海市松江區(qū)思賢路3255號3號樓B棟四樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種應用于鍍膜設備的處理方法，包括：通過沉積控制裝置對沉積腔體內裝載有基板的載具進行沉積處理以使形成的鍍膜基板的兩個待鍍表面均形成介質膜，以及通過傳輸裝置將待清洗載具輸送至管式清洗腔體后，通過清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理。本發(fā)明通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體后，通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理，無需拆裝所述待清洗載具，從而進一步提高了生產效率。