膜層及其制備方法和發(fā)光器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110569434.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113299866A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113299866A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-24 |
| 分類號(hào) | H01L51/56;H01L51/50 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蔣暢;程陸玲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 合肥福納科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 唐菲 |
| 地址 | 230000 安徽省合肥市新站區(qū)新蚌埠路與魏武路交叉口佳海工業(yè)城G91棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及一種膜層及其制備方法和發(fā)光器件及其制備方法，屬于發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域。一種膜層的制備方法，包括將含硫有機(jī)物溶液涂覆于基底的表面形成溶液層，在溶液層上旋涂氧化鋅溶液，再進(jìn)行熱處理；或?qū)⒀趸\溶液涂覆于基底的表面形成溶液層，在溶液層上旋涂含硫有機(jī)物溶液，再進(jìn)行熱處理。通過(guò)對(duì)電子傳輸層ZnO表面進(jìn)行硫化，原位生成更為穩(wěn)定的ZnS，形成復(fù)合的ZnO/ZnS層，該復(fù)合層增強(qiáng)了電子傳輸層的勢(shì)壘高度，可以降低電子傳輸速率，有利于電荷注入平衡，提高了電子傳輸層的穩(wěn)定性。 |
