QD發(fā)光層、量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110702697.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113421986A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113421986A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L51/50（2006.01）I;H01L51/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋斌;梁凱旋;姚琪 申請（專利權(quán)）人 合肥福納科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙麗婷
地址 230012安徽省合肥市新站區(qū)新蚌埠路3768號佳海工業(yè)城一期G91棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種QD發(fā)光層、量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法，所述QD發(fā)光層包括：至少兩層子QD發(fā)光層，緊貼著空穴傳輸層的所述子QD發(fā)光層包含的量子點(diǎn)的導(dǎo)帶能級小于緊貼著電子傳輸層的所述子QD發(fā)光層包含的量子點(diǎn)的導(dǎo)帶能級，且緊貼著空穴傳輸層的所述子QD發(fā)光層包含的量子點(diǎn)的價(jià)帶能級大于緊貼著電子傳輸層的所述子QD發(fā)光層包含的量子點(diǎn)的價(jià)帶能級。現(xiàn)有量子點(diǎn)發(fā)光二極管性能以及發(fā)光壽命普遍較差，本發(fā)明通過采用多種具有不同能級結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)來適配對應(yīng)的電子傳輸層以及空穴傳輸層，以此來平衡電子和空穴的注入平衡，從而提高量子點(diǎn)發(fā)光二極管的性能以及發(fā)光壽命。