量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110747664.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113471378A | 公開（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113471378A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
| 分類號(hào) | H01L51/50（2006.01）I;H01L51/56（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蔣暢;程陸玲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 合肥福納科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 唐菲 |
| 地址 | 230000安徽省合肥市新站區(qū)新蚌埠路與魏武路交叉口佳海工業(yè)城G91棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N量子點(diǎn)發(fā)光器件，屬于量子點(diǎn)發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域。該量子點(diǎn)發(fā)光器件包括沿預(yù)設(shè)方向?qū)盈B的量子點(diǎn)發(fā)光層以及電子傳輸層，電子傳輸層包括在預(yù)設(shè)方向?qū)盈B的多個(gè)電子傳輸結(jié)構(gòu)層。任意相鄰兩個(gè)電子傳輸結(jié)構(gòu)層中，電子傳輸材料相同，遠(yuǎn)離量子點(diǎn)發(fā)光層的電子傳輸結(jié)構(gòu)層中的電子傳輸材料的顆粒平均尺寸為A nm，靠近量子點(diǎn)發(fā)光層的電子傳輸結(jié)構(gòu)層中的電子傳輸材料的顆粒平均尺寸為Bnm，A＞B。能夠改善電子和空穴注入的不平衡的問題以及激子分離現(xiàn)象，從而能夠有效提高量子點(diǎn)發(fā)光器件的發(fā)光效率。 |
