940nm紅外LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010219872.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111276582A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-06-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111276582A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/12(2010.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 米洪龍;楊杰;關(guān)永莉;吳小強(qiáng);楊鑫;周王康;申江濤;陜志芳;樊明明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 山西飛虹微納米光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 041600山西省臨汾市洪洞縣甘亭鎮(zhèn)燕壁村 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種940nm紅外LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于顯示設(shè)備領(lǐng)域。外延結(jié)構(gòu)從下至上依次包括襯底(1)、襯底緩沖層(2)、下覆蓋層(3)、下波導(dǎo)層(4)、第一有源層(5)、晶格緩沖層(6)、第二有源層(7)、上波導(dǎo)層(8)、電流限制層(9)、上覆蓋層(10)、窗口層(11)和歐姆接觸層(12)，所述第一覆蓋層(3)包括第一覆蓋層(3?1)和第二覆蓋層(3?2)。本發(fā)明能提高外延結(jié)構(gòu)的晶格質(zhì)量、提供高勢(shì)壘電子、減少阱壘的失配效應(yīng)、提高有源層阱的質(zhì)量、提高器件的發(fā)光效率、提高電子?空穴的復(fù)合率而提升器件的發(fā)光效率、使器件電流可以均勻分布、提高歐姆接觸質(zhì)量，因而可以多方位地提高基于該外延結(jié)構(gòu)的940nm紅外LED的光電轉(zhuǎn)換效率。?? |
