經(jīng)過(guò)粗化的AlGaAs基LED的制備方法及LED

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010241001.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111430512A 公開(kāi)（公告）日 2020-07-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN111430512A 申請(qǐng)公布日 2020-07-17
分類號(hào) H01L33/00;H01L21/306;H01L33/22 分類 -
發(fā)明人 關(guān)永莉;米洪龍;徐小紅;段少清;楊鑫;周王康;陜志芳;樊明明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山西飛虹微納米光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 041600 山西省臨汾市洪洞縣甘亭鎮(zhèn)燕壁村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種經(jīng)過(guò)粗化的AlGaAs基LED的制備方法及LED，屬于顯示設(shè)備領(lǐng)域。本發(fā)明通過(guò)對(duì)擴(kuò)膜處理后的LED芯片的側(cè)壁和表面進(jìn)行粗化處理，使得相對(duì)僅對(duì)表面進(jìn)行粗化處理的方式，粗化后LED芯片的亮度提高了1～1.5倍；通過(guò)三種刻蝕液依次對(duì)LED芯片的側(cè)壁和表面進(jìn)行粗化處理，不僅能夠在LED芯片的側(cè)壁和表面形成非周期性的無(wú)規(guī)則圖形，從而可以提高LED產(chǎn)品的亮度，而且使得粗化處理后LED芯片的表面呈中性，從而能夠提高封裝后產(chǎn)品的使用壽命。