基于超晶格勢(shì)壘量子阱結(jié)構(gòu)的LED及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910235635.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109904289A 公開（公告）日 2019-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN109904289A 申請(qǐng)公布日 2019-06-18
分類號(hào) H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I; B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董海亮; 賈志剛; 關(guān)永莉; 梁建; 米洪龍; 許并社; 陳永壽; 陜志芳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山西飛虹微納米光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 031600 山西省臨汾市洪洞縣甘亭工業(yè)園區(qū)飛虹微納米光電科技有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于超晶格勢(shì)壘量子阱結(jié)構(gòu)的LED及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括：藍(lán)寶石襯底；設(shè)于藍(lán)寶石襯底上面的GaN形核層；設(shè)于GaN形核層上面的未摻雜的GaN層；設(shè)于未摻雜的GaN層上面的n型GaN層；設(shè)于n型GaN層上面的量子阱區(qū)，量子阱區(qū)從下至上包括8～15周期的第一區(qū)域和3～10周期的第二區(qū)域，第一區(qū)域包括從下至上設(shè)的3～10周期的超晶格AlxInyGa1?x?yN/GaN勢(shì)壘層和InGaN勢(shì)阱層，第二區(qū)域包括3～10周期的AlxInyGa1?x?yN/GaN勢(shì)壘層；設(shè)于第二區(qū)域上面的p型AlGaN電子阻擋層；設(shè)于p型AlGaN電子阻擋層上面的p型GaN層；設(shè)于p型GaN層上面的電極接觸層。本發(fā)明實(shí)施例提高了電子和空穴的注入效率和增加對(duì)電子的束縛能力，減少了電子泄漏，使電子和空穴的輻射復(fù)合效率增加。