砷化鎵激光器腔面以及砷化鎵激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721223021.5 申請日 -
公開（公告）號 CN207801155U 公開（公告）日 2018-08-31
申請公布號 CN207801155U 申請公布日 2018-08-31
分類號 H01S5/343 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 米洪龍;關(guān)永莉;陳宇星;王琳 申請（專利權(quán)）人 山西飛虹微納米光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 041600 山西省臨汾市甘亭工業(yè)園區(qū)山西飛虹科技集團有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種砷化鎵激光器腔面及砷化鎵激光器，屬于半導體激光器領(lǐng)域；砷化鎵激光器腔面包括自下而上設置的腔面本體、阻擋層、鈍化膜以及反射膜；阻擋層是由等離子體Ar+經(jīng)過電場加速后轟擊腔面本體，再由混合等離子體NH+經(jīng)過電場加速后與腔面本體的表層發(fā)生化學反應形成的；等離子體Ar+是由高真空條件下、10?30sccm流量的氬氣在離子源的作用下形成的，其轟擊腔面本體的時間為5?20min；混合等離子體NH+是由10?30sccm流量的氮氣和氫氣混合氣體在離子源的作用下形成的；其與腔面本體表層發(fā)生化學反應的時間為5?10min；鈍化膜的厚度為5?15nm，反射膜通過鍍膜工藝鍍制在鈍化膜上；本實用新型可大幅度提升砷化鎵激光器的可靠性，保證其在高功率條件下的工作穩(wěn)定性，并延長壽命。