940nm紅外LED的外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020705748.2 申請日 -
公開（公告）號 CN212011015U 公開（公告）日 2020-11-24
申請公布號 CN212011015U 申請公布日 2020-11-24
分類號 H01L33/12(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 米洪龍;楊杰;關(guān)永莉;楊鑫;周王康;申江濤;陜志芳;樊明明 申請（專利權(quán)）人 山西飛虹微納米光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 041600山西省臨汾市洪洞縣甘亭鎮(zhèn)燕壁村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種940nm紅外LED的外延結(jié)構(gòu)，屬于顯示設(shè)備領(lǐng)域。外延結(jié)構(gòu)從下至上依次包括襯底1、襯底緩沖層2、下覆蓋層3、下波導(dǎo)層4、第一有源層5、晶格緩沖層6、第二有源層7、上波導(dǎo)層8、電流限制層9、上覆蓋層10、窗口層11和歐姆接觸層12，所述下覆蓋層3包括第一覆蓋層3?1和第二覆蓋層3?2。本實(shí)用新型能提高外延結(jié)構(gòu)的晶格質(zhì)量、提供高勢壘電子、減少阱壘的失配效應(yīng)、提高有源層阱的質(zhì)量、提高器件的發(fā)光效率、提高電子?空穴的復(fù)合率而提升器件的發(fā)光效率、使器件電流可以均勻分布、提高歐姆接觸質(zhì)量，因而可以多方位地提高基于該外延結(jié)構(gòu)的940nm紅外LED的光電轉(zhuǎn)換效率。??