砷化鎵激光巴條

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721537440.6 申請日 -
公開（公告）號 CN207588214U 公開（公告）日 2018-07-06
申請公布號 CN207588214U 申請公布日 2018-07-06
分類號 H01S5/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董海亮;米洪龍;梁建;許并社;關永莉;賈志剛;王琳 申請（專利權）人 山西飛虹微納米光電科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 041600 山西省臨汾市甘亭工業(yè)園區(qū)山西飛虹科技集團有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種砷化鎵激光巴條，屬于半導體激光器領域。包括：由下至上依次包括GaAs襯底、n?GaAs緩沖層、n?AlGaAs限制層、n?AlGaAs波導層、有源區(qū)層、p?AlGaAs波導層、p?AlGaAs限制層、p?GaAs頂層和p型高摻雜電極接觸層的外延片；多個從p?GaAs頂層刻蝕至GaAs襯底上表面的溝道；設于p?GaAs頂層上的SiO2介質膜；制備于p型高摻雜電極接觸層和SiO2介質膜上的p電極層和GaAs襯底背面的n電極層；蒸鍍于外延片、p電極層和n電極層左右兩側的厚度為的硅薄膜，硅薄膜為在溫度為100～150℃條件下以的生長速度蒸鍍后，對硅薄膜循環(huán)退火3?5次形成的，循環(huán)退火時低溫為100～150℃高溫為400～500℃；蒸鍍于硅薄膜外側的硅鈍化膜和分別制備于硅鈍化膜兩側的高反膜和增透膜。本實用新型提高了激光器的抗光學災變能力。