U型GaN層的生長方法、U型GaN層和半導(dǎo)體晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911357262.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111081535A 公開（公告）日 2020-04-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN111081535A 申請(qǐng)公布日 2020-04-28
分類號(hào) H01L21/205;H01L29/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊鑫;關(guān)永莉;米洪龍;吳小強(qiáng);楊杰;申江濤;陜志芳;樊明明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山西飛虹微納米光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 041609 山西省臨汾市洪洞縣甘亭鎮(zhèn)燕壁村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種U型GaN層的生長方法、U型GaN層和半導(dǎo)體晶體管，屬于半導(dǎo)體生產(chǎn)領(lǐng)域。包括：S1，采用GaN材料在襯底上縱向生長，得到初始U型GaN層；S2，在初始U型GaN層上由3D縱向生長向2D橫向生長過渡，得到U型GaN過渡層；S3，在U型GaN過渡層上橫向生長；S4，在S3得到的U型GaN層上繼續(xù)橫向生長，使生長得到的U型GaN層的表面平整。本發(fā)明通過在縱向生長與橫向生長之間增加由3D縱向生長向2D橫向生長過渡的階段，使得由縱向生長到橫向生長是慢慢過渡的，并通過調(diào)整生長過程中MOCVD設(shè)備的各項(xiàng)參數(shù)，提高了晶體質(zhì)量、位錯(cuò)密度及內(nèi)量子效率，使得生長得到的U型GaN層的表面缺陷大大減少，因而提高了產(chǎn)品良率。