InGaN量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910235749.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109802021A | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-05-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109802021A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-05-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 董海亮; 賈志剛; 關(guān)永莉; 梁建; 米洪龍; 許并社; 楊鑫; 周王康 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山西飛虹微納米光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 031600 山西省臨汾市洪洞縣甘亭工業(yè)園區(qū)飛虹微納米光電科技有限公司 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種InGaN量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括藍(lán)寶石襯底；設(shè)于藍(lán)寶石襯底上面的GaN形核層；設(shè)于GaN形核層上面的未摻雜的GaN層；設(shè)于未摻雜的GaN層上面的n型GaN層；設(shè)于n型GaN層上面的第一GaN勢(shì)壘層；設(shè)于第一GaN勢(shì)壘層上面的量子阱區(qū)，量子阱區(qū)包括5～15周期的量子阱層，每個(gè)量子阱層從下至上依次包括InGaN量子點(diǎn)層、非線性變速生長(zhǎng)的量子點(diǎn)蓋層和第二GaN勢(shì)壘層；設(shè)于量子阱區(qū)上面的p型AlGaN電子阻擋層；設(shè)于p型AlGaN電子阻擋層上面的p型GaN層；設(shè)于p型GaN層上面的p++型GaN電極接觸層。本發(fā)明能有效抑制量子點(diǎn)處In組分的偏析，減少界面位錯(cuò)的攀移，從而減少阱壘界面的位錯(cuò)密度，使量子點(diǎn)分布趨于均勻，實(shí)現(xiàn)高密度高性能InGaN量子點(diǎn)的制備。 |
