一種高抗干擾性能的LDO
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202023179640.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN214623448U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN214623448U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-05 |
| 分類(lèi)號(hào) | G05F1/56（2006.01）I | 分類(lèi) | 控制；調(diào)節(jié); |
| 發(fā)明人 | 劉海軍;安娜 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 芯北電子科技（南京）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇高專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李瓊 |
| 地址 | 211800江蘇省南京市浦口區(qū)橋林街道步月路29號(hào)12幢-411 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高抗干擾性能的LDO，包括誤差放大器、第一分壓電阻、第二分壓電阻、第一MOS管和第二MOS管。誤差放大器的正向輸入端與參考電壓連接，負(fù)向輸入端與第一分壓電阻的一端和第二分壓電阻的一端連接，輸出端經(jīng)由補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)與第二分壓電阻的另一端連接。第一分壓電阻的另一端接地。誤差放大器的輸出端還與第一MOS管的柵極相連。第一MOS的源極連接至輸入電壓，漏極連接至第二MOS的源極。第二MOS的柵極連接驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)，漏極連接至第二分壓電阻的另一端口。LDO的輸出端從第二分壓電阻的另一端引出。本實(shí)用新型在主通路上多串聯(lián)一個(gè)PMOS管，可以實(shí)現(xiàn)很高的抗干擾能力，而且不需要大幅增加LDO的開(kāi)環(huán)增益以及帶寬，以節(jié)省電路的電流和面積。 |
