一種制備VO2薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811238298.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111088477A 公開（公告）日 2020-05-01
申請公布號 CN111088477A 申請公布日 2020-05-01
分類號 C23C14/08;C23C14/24;C23C14/02 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 南通安廣美術圖案設計有限公司
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法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種制備VO2薄膜的方法，步驟如下：用超聲波清洗儀對Al2O3基底表面進行去離子水清洗，再先后用丙酮溶液和無水乙醇清洗，吹干；將清洗好的Al2O3單晶襯底傳送至高真空生長室，抽真空使本底壓強優(yōu)于1×10?6Pa，旋轉襯底，并將襯底加熱到610?630℃，在金屬釩粉體被加熱至蒸發(fā)狀態(tài)后，打開氣體活化源并通入氧氣，將釩原子束和活性氧原子束噴射到襯底上進行反應，薄膜生長時間為34?36min，薄膜沉積完成后，通入N2，使真空室溫度自然冷卻到150℃以下，取出即得。該方法制備出了表面光潔、呈淺黃色半透明狀的VO2薄膜，薄膜結晶良好，純度高，表面均勻致密，具有良好的中紅外調制特性。